BSM250D17P2E004
1700V Full SiC 파워 모듈

BSM250D17P2E004는 로옴의 SiC-DMOSFET와 SiC-SBD로 구성된 Full SiC의 half bridge 모듈입니다. 고온 고습 바이어스 시험 (HV-H3TRB)에서 1,000 시간을 초과하여도 절연 파괴를 일으키지 않는 고신뢰성을 실현하였습니다. 이에 따라, 고온 고습 환경에서도 안심하고 1700V의 고내압을 취급할 수 있습니다. 옥외 발전 시스템 및 충방전 시험기 등의 평가 장치를 비롯한 산업기기용 전원의 인버터, 컨버터에 최적인 제품입니다.

Data Sheet 구입 *
* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.

Product Detail

 
형명 | BSM250D17P2E004
상태 | 추천품
패키지 | E
포장 수량 | 4
최소 포장 단위 | 4
포장 사양 | Corrugated Cardboard
RoHS | Yes

사양 :

Drain-source Voltage[V]

1700

Drain Current[A]

250

Total Power Dissipation[W]

1800

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

125

Package

Half bridge

Package Size [mm]

152x57.95 (t=18)

Find Similar

특징 :

  • Low surge, low switching loss.
  • High-speed switching possible.
  • Reduced temperature dependance.

Reference Design / Application Evaluation Kit

 
    • Drive Board - BSMGD2G17D24-EVK001
    • This evaluation board, BSMGD2G17D24-EVK001, is a gate driver board for full SiC Modules with the 2nd Generation 1700V SiC-MOSFET in E type housing. This evaluation board contains all the necessary components for optimal and safety driving the SiC module.

  • User Guide
    • Snubber Module - MGSM1D72J3-934MH93
    • Snubber Module for BSM250 (1700V,E type)

X

Most Viewed