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-20V Pch+Pch Power MOSFET - UT6J3

 
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N / D
 
 
especificações:
número de peça UT6J3TCR
Estado de Condição NRND
pacote HUML2020L8(Dual)
Quantidade Unidade 3000
Quantidade mínima Package 3000
tipo de embalagem Taping
Constituição Lista de Materiais inquiry
RoHS sim
Grade Standard
Package Code DFN2020-8D
Package Size[mm] 2.0x2.0(t=0.6)
Number of terminal 8
Polarity Pch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V] -20
Drain Current ID[A] -3.0
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.) 0.13
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.) 0.065
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.06
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.13
Total gate charge Qg[nC] 8.5
Power Dissipation (PD)[W] 2.0
Drive Voltage[V] -1.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Pin Configuração:
Pin Configration
 
 
Dados técnicos
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors