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N-channel Silicon Carbide Power MOSFET - SCT3022KL

SCT3022KL is an SiC (Silicon Carbide) trench MOSFET. Features include high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed.

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Quantidade Unidade
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tipo de embalagem
RoHS
SCT3022KLGC11 Active TO-247N 450 30 Tube sim
 
especificações:
Drain-source Voltage[V] 1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ] 22
Drain Current[A] 95.0
Total Power Dissipation[W] 427
Junction Temperature(Max.)[°C] 175
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 175
características:
  • ・ Low on-resistance
    ・ Fast switching speed
    ・ Fast reverse recovery
    ・ Easy to parallel
    ・ Simple to drive
    ・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
 
 
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Dados técnicos
SPICE Simulation Evaluation Circuit

Circuit data for device evaluation

Application Note

For SiC Power Devices and Modules

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog

NE Handbook Series

For Power Device

Part Explanation

For SiC MOSFET