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SiC MOSFET - SCT2H12NZ (New)

1700V 3.7A N-channel SiC (Silicon Carbide) power MOSFET.

ROHM Featured Products

SCT2H12NZ(1700V SiC-MOSFET) and BD7682FJ-LB(AC/DC Converter IC) Evaluation Board
Apprication Note (PDF: 1.9MB), Presentation Document (PDF: 1.0MB), Buy Evaluation Board

* This product is a STANDARD grade product and not recommend for on-vehicle devices.
número de peça
Estado de Condição
pacote
Quantidade Unidade
Quantidade mínima Package
tipo de embalagem
RoHS
SCT2H12NZGC11 Active TO-3PFM 450 30 Tube sim
 
especificações:
Drain-source Voltage[V] 1700
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ] 1150
Drain Current[A] 3.7
Total Power Dissipation[W] 35
Junction Temperature(Max.)[°C] 175
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 175
características:
    • Low on-resistance
    • Fast switching speed
    • Long creepage distance
    • Simple to drive
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant
 
 
Cliques recentes:
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ROHM Semiconductor reserva-se o direito de alterar as especificações a qualquer momento.
 
Dados técnicos
Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog

Part Explanation

For SiC MOSFET