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N-channel Silicon Carbide Power MOSFET - SCT2750NY (New)

1700V 6A N-channel SiC (Silicon Carbide) power MOSFET.

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RoHS
SCT2750NYTB Active TO-268-2L 800 800 Taping sim
 
especificações:
Drain-source Voltage[V] 1700
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ] 750
Drain Current[A] 6.0
Total Power Dissipation[W] 57
Junction Temperature(Max.)[°C] 175
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 175
características:
    • Low on-resistance
    • Fast switching speed
    • Long creepage distance with no center lead
    • Simple to drive
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant
 
 
Cliques recentes:
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ROHM Semiconductor reserva-se o direito de alterar as especificações a qualquer momento.
 
Dados técnicos
Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog

Part Explanation

For SiC MOSFET