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Nch 30V 21A Power MOSFET - RQ3E100BN

RQ3E100BN is high power package(HSMT8) MOSFET for switching.

* This product is a STANDARD grade product and not recommend for on-vehicle devices.
número de peça
Estado de Condição
pacote
Quantidade Unidade
Quantidade mínima Package
tipo de embalagem
RoHS
RQ3E100BNTB Active HSMT8 3000 3000 Taping sim
 
especificações:
Grade Standard
Package Code HSMT8(3.3x3.3)
Package Size[mm] 3.3x3.3(t=0.8)
Applications Switching, Motor
Number of terminal 8
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 21.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.011
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.0077
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.011
Total gate charge Qg[nC] 10.5
Power Dissipation (PD)[W] 15.0
Drive Voltage[V] 4.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
características:
    • Low on - resistance.
    • High Power Package (HSMT8).
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant.
    • Halogen Free
 
 
Pin Configuração:
Pin Configration
 
 
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Dados técnicos
NE Handbook Series

For Power Device

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors