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SiC Power Module - BSM180D12P2E002 (New)

This product is a half bridge module consisting of SiC-DMOSFET and SiC-SBD from ROHM.

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número de peça
Estado de Condição
pacote
Quantidade Unidade
Quantidade mínima Package
tipo de embalagem
RoHS
BSM180D12P2E002 Active E 4 4 Tray sim
 
especificações:
Drain-source Voltage[V] 1200
Drain Current[A] 204.0
Total Power Dissipation[W] 1360
Junction Temperature(Max.)[°C] 150
Storage Temperature (Min.)[°C] -40
Storage Temperature (Max.)[°C] 125
Package Half bridge
características:
    • Low surge, low switching loss.
    • High-speed switching possible.
    • Reduced temperature dependance.
 
 
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ROHM Semiconductor reserva-se o direito de alterar as especificações a qualquer momento.
 
Dados técnicos
Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog