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SiC Power Module - BSM120C12P2C201 (New)

This product is a chopper module consisting of SiC-DMOSFET and SiC-SBD from ROHM.

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número de peça
Estado de Condição
pacote
Quantidade Unidade
Quantidade mínima Package
tipo de embalagem
RoHS
BSM120C12P2C201 Active C 12 12 Tray sim
 
especificações:
Drain-source Voltage[V] 1200
Drain Current[A] 134.0
Total Power Dissipation[W] 935
Junction Temperature(Max.)[°C] 150
Storage Temperature (Min.)[°C] -40
Storage Temperature (Max.)[°C] 125
Package Chopper
características:
    • Low surge, low switching loss.
    • High-speed switching possible.
    • Reduced temperature dependance.
 
 
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ROHM Semiconductor reserva-se o direito de alterar as especificações a qualquer momento.
 
Dados técnicos
Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog